大學物理實驗儀器

1) 多功能內耗測試儀GEP-100  GEP-200

2) 真空試驗儀 GT2010

3) 真空鍍膜機 GT450

4) 電子束蒸發鍍膜裝置 GTBP-1

5)  href="#〈5〉" 電子束蒸發鍍膜機 GT500ZZS

6) 直流磁控濺射鍍膜裝置 GTDM

7) 射頻磁控濺射鍍膜裝置 GTRM

8) 多靶磁控濺射鍍膜機 GT-500JJC

9) 微波CVD薄膜制備裝置 GT2008

10) CCP ICP薄膜沉積試驗儀GTDP GTIP

11) 熱絲等離子體薄膜沉積實驗裝置

12) 電弧真空等離子體鍍膜實驗裝置

13) 鎢極電弧真空熔煉爐 ISSP-AMF

14) 氣氛熱處理程控高溫爐 ISSP-HTF

15) 單晶爐 ISSP-SHF

16) 箱式爐 GT-1100X

17) 真空退火爐 GT-AF300

18) 超聲霧化熱解噴涂設備 GT-US

19) 貴金屬濺射臺 GTPM-1

20) 激光單晶定向儀 GT6510

21) 電弧/磁控濺射箱式鍍膜機 GT-900DZX

22) 功能薄膜特性測試儀 GTFC-1

23) 循環水冷卻機組 GTCW-1

24) 微波等離子體實驗裝置 GT2004

25) 微波射流等離子體實驗儀 GTAP

26) 磁鏡場ECR微波等離子體裝置

27) 電暈等離子體實驗裝置 GTCP-1

28) 光等離子體實驗裝置 H2005 H2006 

29) 等離子體診斷實驗儀 GTPD-1

30) 直流濺射等離子實驗儀 GTPS

31) 電感耦合等離子體實驗儀 GTRP-1

32) 電容耦合射頻等離子體實驗裝置

33) 微波光學實驗儀GTMS-1

34) 微波光學綜合試驗儀 GTMS-1A

35) 全息照相實驗儀GT6516

36) 光電傳感器實驗儀 GT-CGOP1

37) 光敏電阻特性實驗儀GT6520

38) 新能源電池綜合特性測試儀 GT-FUC

39) 新能源實驗系統 GT-NE-1

40) 太陽能電池特性X測試儀GT6521

41) 聲光效應激光超聲光柵試驗儀 GTSL-1

42) 光速測定儀 GTLV-1

43) 核磁共振實驗儀GT2002

44) 夫蘭克-赫茲實驗儀GT4507

45) 普朗克常數測定儀GT-GD

46) 磁懸浮動力學實驗儀GTSY-1

47) 巨磁電阻實驗儀GT-GMR-2

48) 磁性液體表觀密度測量儀CMC-Ⅲ

49) 磁浮力測量裝置GTCD

50) 超導磁浮車演示裝置GTCG

51) 光學實驗儀GTSO-1

52) 光偏振試驗儀 GTSO-2

53) 混沌電路與同步實驗儀GT6501

54) 物理多功能實驗系統GTYH-1

55) 熱輻射與紅外掃描成像裝置 GTRH-1

56) 黑體紅外輻射試驗儀 GTRH-2

57) 電機特性測試儀 GTMF-1

58) 動靜摩擦因數測試儀 GTKFC-1

59) 轉動慣量楊氏模量試驗儀 GT4605

60) 超聲定位與形貌實驗儀GT6001

61) 超聲成像實驗儀GT6002

62) 多普勒效應及聲速實驗儀 GT-DPL1

63) 物理設計性實驗儀GT-SJ

64) 霍爾傳感器楊氏模量測定儀 GTY-1

65) 動態法楊氏模量測定儀 GTY-2

66) 轉動慣量測試儀 GT4601

67) 雙光柵微弱振動測量儀GTGS-1

68) 音叉振動與共振試驗儀 GT4615

69) 弦音實驗儀ZCXS-A

70) 弦振動實驗儀GT4618

71) 聲速測定儀SV-GT/SVX

72) 固體聲速測量裝置 SVG

73) 相速、群速實驗儀 GTPV-1

74) 聲速大屏幕演示儀 SVD1

75) 聲懸浮實驗儀GTSF-1

76) 導熱系數測定儀 YQF-1

77) 導熱系數測試儀YBF

78) 熱學試驗儀 GTT-2

79) 比熱容測定儀GT4603  4602

80) 變溫液體沾滯系數測定儀 GT4606

81) 液體表面張力系數測定儀GT4607

82) 金屬熱膨脹系數測定儀GT4608A

83) 旋轉液體綜合試驗儀 GT4609

84) 傳感器實驗臺GT-CG2000

85) 亥姆霍茲線圈磁場實驗儀 GT4501

86)  RLC實驗箱 GT4502

87)  RLC試驗儀 GT4503

88) 交流電路綜合試驗儀 GT4505

89) 電表改裝與校準實驗儀 GT4508

90) 磁阻效應實驗儀GT4510

91) 沖擊法螺線管磁場測定儀 GT4511

92) 霍爾效應組合實驗儀GT4512

93) 地磁場水平分量測試儀 GT4515

94) 磁滯回線實驗儀GT4516

95) 交流電橋實驗儀 GT4518

96) 電子比荷測定儀GT4520

97) 電子束實驗儀 GT4521

98) 伏安特性試驗儀 GT6102

99) 組裝式雙臂電橋 GT6105

100) 賽電橋綜合實驗儀GT6108

101) 數字萬用表設計實驗儀GT6505

102) 數字電表改裝實驗儀GT6505A

103) PN結正向特性實驗儀 GT-PN-1

104) 非平衡電橋GTQJ

105) 萬能電橋 QS18A

〈1〉多功能內耗測試儀  GEP-100  GEP-200                                             

   內耗是指在一定的外部條件下(如溫度、頻率、振幅等), 材料內部缺陷和原子運動所引起的機械振動能量的耗散, 它對材料中缺陷的動力學行為非常敏感. 因此, 內耗測量可提供其它手段所不易提供的物理信息, 如缺陷濃度和分布、缺陷擴散激活能、相變動力學等. 特別地, 研究缺陷和結構演化等原子的動態行為及微觀力學行為, 內耗技術是一個合適的、不可替代的手段. 

   在材料的內耗測量中, 最常用和最經典的測量裝置是由中國科學院固體物理研究所我國著名金屬物理學家葛庭燧院士(1913-2000)發明的“葛氏扭擺”. 利用該裝置, 葛庭燧院士首次發現了由于晶界滑動而導致的晶界內耗峰——“葛氏峰”, 并以“葛氏峰”和“葛氏擺”等原創性工作, 在世界物理學史上留下了中國人的名字. 

   GEP-100  GEP-200多功能內耗測試儀就是基于“葛氏擺”基本原理, 與中國科學院固體物理研究所合作研發的. 可測量不同頻率下材料的內耗-溫度譜, 了解和掌握內耗的基本測試原理以及弛豫的動力學過程. 

可開設的實驗

1、學會采用自由衰減法測量內耗的基本原理和具體方法; 

2、學會采用內耗-溫度譜來測量高分子材料玻璃化轉變過程的物理參數. 

主要技術參數

 工作溫度: 室溫～200℃; AI智能控溫, 控溫精度: ±1℃;

 片狀試樣(厚×寬×長): 1mm×2mm×(55～60mm) ; 

 中心磁感應強度: 90～120mT ; 

 對稱擺桿兩根, 長度120～160mm, 擺桿振幅0～10mm ; 

 電動激發, 振動頻率0. 2～5Hz ; 

 內耗測量范圍: 10-4～10-1

 GEP-100教學型: 含USB接口數據采集儀, 數據采集軟件, 不含計算機; 

 GEP-200教學研究型: 含專用高速數據采集儀, 數據采集與測量軟件, 品牌臺式計算機

出廠價:

GEP-100型   ￥97920.00元  (需另配計算機); 

GEP-200型   ￥138960.00元 (含品牌臺式計算機)

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〈2〉真空實驗儀  GT2010                                                              

GT2010真空實驗儀是一個真空實驗平臺, 能夠很直觀反映真空獲得的全過程.  由真空獲得部分、真空鍍膜機構和電控及儀表等部分組成, 結構合理, 運行安全可靠, 適合于對學生開展真空實驗教學. 

實驗項目    1、真空的獲得與測量; 2、蒸發法薄膜制備; 

主要特點

 設備的真空反應室、油擴散泵、真空管路部件全透明; 

 電氣控制有安全防護, 防止誤操作對操作人員和設備造成的損傷; 

 管路采用不銹鋼與真空橡膠管結合, 電控雙向截止閥, 真空室內有烘烤除氣設備; 

 一機多用的功能, 針對高校開展綜合性、設計性和開放性實驗的要求, 預留有大空間的真空室, 在配置一些組件后, 就能方便開設其他擴展實驗項目

主要參數

 真空室: 304不銹鋼底盤和玻璃鐘罩組成, 尺寸: Φ230×260mm;

   抽氣系統: GT2010/ GT2010A型: 2XZ-4機械泵+四級玻璃擴散泵, 需水冷; 

GT2010F型: 2XZ-4機械泵+FF100/110分子泵; 風冷; 

 極限真空: GT2010/ GT2010A型: 9. 6×10-4Pa; 恢復真空: 5×10-3Pa＜40分鐘; 

GT2010F型: 8×10-5Pa; 恢復真空: 2×10-3Pa＜40分鐘; 

 基本配置: GT2010: 蒸發電極一對, 蒸發功率: AC10V/150A; 襯底加熱、烘烤除氣;  

GT2010A /GT2010F: 蒸發電極一對, 蒸發功率: AC10V/150A; 襯底加熱、烘烤除氣; 帶直流濺射系統. 

 真空測量: 數顯復合真空計; 

 襯底溫度: 室溫～300℃(PID控溫); 

 工作電壓: AC220V±5%, 50Hz;    整機功率: 3kW; 16A插座; 

 環境要求: 溫度低于30℃,  濕度≤70％; 

 用戶需自備或選購冷卻水系統. 

出廠價

GT2010 

GT2010A  GT2010F

￥119232. 00元  需另配循環水冷卻機組

￥146880. 00元  需另配循環水冷卻機組

￥198720. 00元 含玻璃真空室、機械泵、分子泵

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〈3〉真空鍍膜機 GT450                                                                

   GT450真空鍍膜機適用于在塑膠、玻璃、陶瓷等材質的工件上鍍制金屬膜、裝飾膜、硬質膜、金剛膜、或光學膜等科研與生產工作. 

主要技術參數

 真空室: 鍍膜室尺寸: Φ450×540mm; 

結構: 箱式前開門結構, 后置抽氣系統, 手動推拉式; 

觀察窗: 鍍膜室門上配有Φ100mm觀察窗; 

 真空系統: 

GT450ZZK  2ZX-8直聯機械泵+ K-200擴散泵; 

GT450ZZF  2ZX-8直聯機械泵+ FF-160/620分子泵; 

 蒸發組件: 水冷電極2對, 功率: 3KW/10V; 

 控制方式: 手動按鍵式; 

 旋轉夾具: 球面拱形夾具, 0～30r/min可調; 

 工件烘烤: 室溫～300℃(PID控制); 

 極限真空: GT450ZZK 2×10-4Pa; GT450ZZF 8×10-5Pa; 

 恢復真空: GT450ZZK 2×10-3Pa; GT450ZZF 8×10-4Pa; 

 真空測量: 數顯復合真空計; 

 選配件: 石英晶振膜厚測控儀、高壓離子轟擊

 用戶需自備或選購冷卻水系統. 

出廠價:  

GT450ZZK(標配)

GT450ZZF(標配)

￥237660. 00元;

￥352800. 00元

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〈4〉電子束蒸發鍍膜裝置 GTBP-1                                                      

GTBP-1電子束蒸發鍍膜裝置主要采用環形燈絲電子槍實現電子束蒸發實驗, 具有結構簡單、直觀易操作等優點, 蒸發材料可以是金屬, 也可以是非金屬材料, 主要用來開設電子束蒸發實驗課程, 亦可以滿足科研鍍膜需要. 

主要參數

 薄膜沉積室:由不銹鋼底盤與不銹鋼鐘罩組成

 蒸發電源:高壓電源、燈絲電源各1臺; 電子槍:采用環形燈絲電子槍

 真空系統:旋片機械泵和擴散泵組成(可選配分子泵); 

 極限真空:6. 6×10-4Pa; 真空測量方式:數顯復合真空計, 測量范圍從大氣到10-5Pa

 抽速:從大氣抽到10-3Pa; 小于50分鐘

 供電電源:AC220V, 50Hz; 整機功率3KW

 對擴散泵、電極等缺水、過流過壓、斷路等異常情況進行報警, 并執行相應保護措施

出廠價: GTBP-1  ￥259800. 00元  另配分光光度計、超聲波清洗機等

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〈5〉電子束蒸發鍍膜機  GT-500ZZS                                                     

GT-500ZZS電子束蒸發鍍膜機適用于制備導電薄膜, 半導體薄膜、鐵電薄膜、光學薄膜, 高性能薄膜研究及新材料科學研究工作. 其主要特點為功能強、鍍膜質量穩定、重復性好、操作簡便. 

主要參數

 鍍膜室體積:500×500×600mm, 特殊規格可定做

 極限真空度:6.7×10-5 Pa, 

恢復真空:從大氣抽至6. 7×10-4 Pa ≤(40分鐘)

 真空抽氣系統: 機械泵與復合分子泵組成; 

真空測量系統: 復合數顯真空計

 電子束蒸發源:270°E型電子槍及高壓電源, 電子槍功率0～6KW可調電阻蒸發源:銅水冷電極4根, 功率:3kW/10V兩組

 結構形式:立式前開門后置抽氣系統

 工件烘烤溫度:室溫～800℃可控可調(PID控溫)

 旋轉夾具:公轉或行星公自轉夾具. 速度從 0r～30r/min 無級可調

 選配件:光學膜厚測量系統、石英晶振測厚儀、高壓離子轟擊、霍爾離子源、冷卻水機組等

 供電電源:三相AC380V, 50Hz; 整機功率22KW

出廠價: GT-500ZZS  ￥740160. 00元  視配置而定

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〈6〉GTDM系列直流磁控濺射鍍膜裝置                                                   

   GTDM系列直流磁控濺射鍍膜裝置具有結構簡潔、操作簡單、實驗過程清晰等特色, 非常適合學校教學科研工作. 裝置主要由濺射鍍膜室、抽氣系統、氣路系統、襯底加熱溫度控制系統、濺射電源等部分組成. 射頻磁控濺射具有沉積速率高, 濺射材料類型多的特點, 如半導體和介質等材料. 

可開設的實驗

 掌握磁控濺射法制備薄膜的基本原理; 

 了解磁控濺射鍍膜設備的操作過程及使用范圍; 

 磁控濺射法制備金屬膜、半導體膜、化合物膜、介質膜等薄膜.

主要技術參數

 濺射鍍膜室: GTDM-1不銹鋼底盤與玻璃鐘罩組成; 其余采用不銹鋼真空室; 

 濺射電源: GTDM系列: 直流200～700V, 功率0～1000W可調; 

 磁控靶: Φ50 mm, 濺射靶臺和磁控靶可調距離: 20～60 mm; 

 襯底溫度: 室溫～300℃可調可控; 除GTDM-1型外其余系列襯底可旋轉; 

 氣路系統: 二路轉子流量計或二路質量流量計;

 真空系統: GTDM-1  2XZ-4機械泵, 速率: 4L/S, AC220V供電; 

GTDM-2  2XZ-2機械泵+K-100擴散泵; 

GTDM-3  2XZ-2機械泵+F100/110分子泵;

 極限真空: GTDM-1  6. 7×10-1 Pa;  

GTDM-2  5×10-4 Pa; 

GTDM-3  8×10-5 Pa;

 恢復真空: GTDM-1  2 Pa; 

GTDM-2  5×10-3 Pa; 

GTDM-3  8×10-4 Pa;

 用戶需自備或選配: 

冷卻水系統、氬氣(99. 99%)、靶材等.

出廠價:

GTDM-1

GTDM-2

GTDM-3

￥170208. 00

￥204480. 00元

￥309600. 00元

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〈7〉射頻磁控濺射鍍膜裝置GTRM                                                      

GTRM射頻磁控濺射鍍膜裝置主要由濺射鍍膜室、真空抽氣系統、氣源進氣調節系統、襯底加熱溫度控制系統、射頻電源等部分組成. 由于磁控濺射能夠精確地控制工藝參數和提高膜層附著力、密度及均勻性, 已成為沉積薄膜的重要方法之一, 射頻磁控濺射具有沉積速率高, 可以濺射任何材料, 包括導體、半導體和介質材料等特點. 由于在低氣壓下濺射, 因此膜層致密、針孔少、純度高. 

主要參數

 濺射鍍膜室:由不銹鋼底與玻璃鐘罩組成; 有效尺寸:Φ220×H230mm

 濺射鍍膜室本底真空:≤1Pa; 濺射腔極限真空:6×10-1Pa

 濺射靶:Φ50mm, 濺射靶臺和濺射靶可調距離:20～60mm

 基片加熱溫度可控范圍:室溫～300℃

 射頻源功率:500W, 13. 56MHz

 氣路系統:由兩路轉子流量計控制(可選配質量流量計)

 真空系統:2XZ-4型旋片真空泵, 抽氣速率:4L/S, 單相220V交流電源供電

 對過流過壓、斷路等異常情況進行報警, 并執行相應保護措施

 供電電源:AC220V, 50Hz, 整機功率2KW

實驗項目

1、掌握射頻磁控濺射法制膜的基本原理

2、了解磁控濺射鍍膜儀的操作過程及使用范圍

3、磁控濺射法制備金屬膜、半導體膜、化合物膜、介質膜等薄膜

出廠價 

GTRM-1

GTRM-2

GTRM-3

￥218880. 00     含機械泵、二路轉子或質量流量計、電阻真空計、射頻電源等

￥251712. 00元   含機械泵、金屬擴散泵、質量流量計、流量顯示儀、復合真空計、射頻電源等

￥352880. 00元   含機械泵、分子泵、質量流量計、流量顯示儀、復合真空計、射頻電源等

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〈8〉多靶磁控濺射鍍膜機 GT-500JJC                                                    

   可用于制備納米級和微米級的單層及多層功能膜-各種硬質膜、光學膜、金屬膜、鐵磁薄膜、半導體膜、介質膜和氧化物薄膜等. 

主要參數

 抽氣系統: 機械泵+復合分子泵

 鍍膜方式: 可實現多靶共濺模式

 濺射電源: 直流/中頻/射頻

 磁控靶: 圓柱靶/平面靶

 進氣系統: 三路質量流量計

 鍍膜室尺寸: 500×500×600mm 

 極限真空: 6. 7×10-5Pa

出廠價: GT-500JJC  ￥791712. 00元

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〈9〉微波CVD薄膜制備裝置 GT2008                                                    

   微波CVD薄膜制備裝置由微波源、真空系統、供氣系統、微波傳輸及微波諧振腔等部分組成. 適合于大學近現代物理、材料、化學等領域進行微波CVD原理與方法的教學、研究, 以及金剛石與類金剛石薄膜的制備實驗及科學研究. 

主要技術特點

    一般的理論性驗證的微波CVD設備, 往往實際成膜困難或成膜品質很難控制. 本裝置融入了金剛石薄膜制備領域多位專家二十多年的深厚經驗, 性能優異, 具有多項獨特技術, 適應性廣, 有多種技術規格的系列產品可供優選. 經北京大學等多家國內著名高校使用與驗證, 能高效地運用微波CVD法制備與生長金剛石薄膜, 及碳納米管、氮化硅、碳化硅等超硬膜. 具有生長速度快、操作簡便、性價比高等優點. 

主要技術參數

 薄膜沉積室: Φ50×H300 mm石英玻璃真空室; 

 微波功率: 0～800 W連續可調輸出; 

微波傳輸模式: TE10模式模式傳輸; 

 進氣系統: 

GT2008 : 二路質量流量計; 

GT2008A/ GT2008K/ GT2008F : 四路質量流量計;

 恢復真空: GT2008/ GT2008A : 2Pa;

 真空系統: 

GT2008  GT2008A : 2XZ-4機械泵, 速率: 4 L/S, AC 220 V供電; 

GT2008K: 2XZ-4機械泵+K-50擴散泵; 

GT2008F: 2XZ-4機械泵+F100/110分子泵; 

 極限真空: 

GT2008/ GT2008A : 6. 7×10-1 Pa; 

GT2008K : 5×10-3 Pa; GT2008F: 5×10-4 Pa;

GT2008K : 9×10-3 Pa; GT2008F : 2×10-4 Pa; 

 真空測量: GT2008/ GT2008A : 數顯電阻真空計; 

GT2008K/ GT2008F : 數顯復合真空計. 

出廠價:

GT2008

GT2008A

GT2008K

GT2008F

￥166320. 00元;  

￥227520. 00元; 

￥252000. 00元; 

￥309600. 00元

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〈10〉GTDP射頻CCP薄膜沉積裝置   GTIP射頻ICP薄膜沉積裝置                       

GTDP射頻CCP薄膜沉積裝置 GTIP射頻ICP薄膜沉積裝置主要由薄膜沉積室、真空抽氣系統、氣源進氣調節系統、襯底加熱溫度控制系統等部分組成. 

通過GTDP射頻CCP薄膜沉積裝置 GTIP射頻ICP薄膜沉積裝置可以掌握CVD(化學氣相沉積); 理解CVD的成膜過程及要求, 化學輸運反應的原理, 等離子體CVD的原理、特點及等離子體的激勵方式; 了解該技術在電學、光學、微電子學等領域的廣闊應用前景. 

實驗項目

1、P型微晶硅材料及在薄膜太陽能電池上的應用

2、硅系納米復合薄膜材料PCVD法制備

3、電容耦合/電感耦合等離子體化學氣相沉積制備各種功能薄膜

主要參數

 薄膜沉積室:由不銹鋼底與玻璃鐘罩組成; 有效尺寸:Φ220×H230mm

 薄膜沉積室本底真空: ≤1Pa

 射頻耦合方式:電容耦合/電感耦合; 射頻源功率:帶500W  13. 56MHz

 氣路系統:由三路轉子流量計控制(可選配質量流量計)

 襯底加熱溫度:室溫至300℃可控

 平行板電極:Φ70mm

 工作反應氣體:由電極板上微孔均勻導入

 真空抽氣系統:2XZ-4型旋片機械泵, 4L/S, 220V供電

 管道、閥門:材質使用不銹鋼和金屬波紋管

 對過流過壓、斷路進行報警, 并執行相應保護措施

 供電電源:AC220V, 50Hz, 整機功率2KW

出廠價 

GTDP-1

GTDP-2

GTDP-3

GTIP-1

GTIP-2

GTIP-3

￥204480. 00    含機械泵、三路轉子或質量流量計、電阻真空計、射頻電源等

￥247680. 00    含機械泵、金屬擴散泵、復合真空計、射頻電源、三路質量流量計等

￥349920. 00    含機械泵、分子泵、復合真空計、三路轉子或質量流量計、電阻真空計、射頻電源等

￥208800. 00    含機械泵、轉子流量計、電阻真空計、射頻電源等

￥253440. 00    含機械泵、金屬擴散泵、復合真空計、射頻電源、三路質量流量計等

￥293328. 00    含機械泵、分子泵、復合真空計、射頻電源、三路質量流量計等

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〈11〉熱絲等離子體薄膜沉積實驗裝置                                                    

GTHF-1  ￥238464.00

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〈12〉電弧真空等離子體鍍膜實驗裝置                                                    

GTLD-1  ￥269800.00

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〈13〉鎢極電弧真空熔煉爐ISSP-AMF                                                    

ISSP-AMF鎢極電弧真空熔煉爐由真空機組、真空室、電弧槍、熔煉電源、銅坩堝、水冷設備及測量系統等組成.  主要用于熔煉鉬等難熔金屬和鈦、鈮、鍺等活潑金屬.   此外還可以熔煉鐵基、鎳基、鈷基等合金材料以及金屬碳化物、硅化物和各類難熔金屬間化合物.  

實驗項目

1、制備金屬硅化物, 如MoSi2, Fe-Si體系等; 
2、制備合金和金屬間化合物, 如Ni3Al, Fe-Al等; 
3、熔煉鉬等難熔金屬, 熔煉鈦、鈮、鍺等活潑金屬.  

主要參數及性能

 電源: AC220V, 50/60Hz; 額定工作電流: 160A; 
 電極直徑: φ5mm; 電極長度: 12mm; 
 極限真空度: 1. 33Pa; 
 冷卻水流量: 2m3/h; 
 保護氣氛: 氬氣; 
 一次熔煉樣品個數: 7; 
 每孔熔煉總量: 5～20g .  

主要特點

 用于探索新材料的研究, 可用于熔點高達2500℃的金屬合金(金屬固熔體, 金屬間化合物等)的配制; 也可用于海面態金屬、金屬粉末及微小顆粒金屬熔煉成塊體致密金屬.  其最大優點是熔煉過程中對樣品不產生污染(其他熔煉方法大多會產生坩堝材料對樣品的污染); 

 既可制備金屬硅氧化物, 又可制備合金和金屬間化合物; 

 可以進行高溫、高速熔化, 從而可以熔煉多種難熔金屬和活潑金屬; 

 采用抽真空結合保護氣氛, 既可以抽真空, 又可以通入不同的氣體; 

 在抽真空后充入惰性氣體, 既可保持電弧的穩定, 又可防止難熔金屬特別是活潑金屬的發揮, 而使金屬成分穩定到精煉的目的.  

出廠價 

ISSP-AMF1

ISSP-AMF2

ISSP-AMF3 

￥290880. 00元   含真空機組及測量系統、真空室、電弧槍、熔煉電源、水冷銅坩堝、機械手組件等

￥342720. 00元   增加吸鑄功能, 含一個吸鑄工位及Ф3/Ф6兩個孔徑的澆鑄模具

￥411840. 00元   含吸鑄功能, 采用分子泵真空系統

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〈14〉氣氛熱處理程控高溫爐  ISSP-HTF                                                 

氣氛熱處理程控高溫爐ISSP-HTF是為高等院校和科研院所進行材料制備而研制的專用設備.   裝置由爐體、真空系統、溫度控制系統等組成.  

實驗項目

1、用氣相傳輸法材料合成及制備納米材料, 如ZnO, CdS等
2、溶液法制備薄膜, 如制備龐磁電阻薄膜, 制備高溫超導薄膜等
3、固相反應法材料合成: 在大氣、真空或氣氛保護下進行各種材料的熱處理

主要特點

 采用抽真空和保護氣氛相結合, 既可以抽真空, 又可以通入不同的氣體, 可滿足氧化物和非氧化物的氣氛熱處理

 采用特殊的爐膛保溫材料, 具有密度小, 保溫性能好等特點

 特別的高溫熱處理范圍, 突破1300℃的常規溫度, 可達1550℃

 采用程控溫度, 實現智能化; 適合于氣相傳輸法制備各類納米材

 可以根據用戶特殊要求進行個性化設計

主要參數及性能

 電源: AC220℃, 50/60Hz; 

 額定功率: 5KW ;

 爐膛尺寸:φ40mm×980mm, φ60mm×980mm; 

 加熱區尺寸: 220mm, 恒溫區尺寸: 100mm; 

 溫控范圍: 100～1600℃, 精度: ±1℃, 升溫速率: 10℃/min ;

 報警保護:上、下限, 正、負偏差, 斷偶等報警 ;

 質量: 約150kg

制備的龐磁電阻薄膜

制備的Cds納米線陣列

出廠價:

GT-ISSP-HTF

GT-ISSP-HTF-A

￥120960. 00元  含溫控系統、真空系統、φ3、如需配質量流量計另加7800元/路

￥146880. 00元  含溫控系統、真空系統、φ60爐膛、如需配質量流量計另加7800元/路

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〈15〉單晶爐ISSP-SHF                                                                

ISSP-SHF單晶爐由溫度控制系統、真空系統和單晶爐爐體等部分組成, 是為高等院校和科研院所單晶生產而研制的專用設備.  

實驗項目

1、制備金屬氧化物類單晶, 如SrMoO3等; 

2、制備氧化物高溫超導體, 如釔鋇銅氧等; 

3、制備非氧化物單晶, 如單晶硅、單晶碳化硅等; 

4、在1550℃以下大氣、真空或氣氛保護下進行單晶生長、材料熱處理、固相反應材料合成等.

用助溶劑法生長的SiC單晶

用助溶劑法生長的SrMoO4單晶

主要技術特點

 一機多用, 可開設多個綜合性、研究性實驗: 既可制備氧化物類單晶, 又可制備非氧化物類或厭氧類單晶, 具有很高的性能價格比; 

 特殊爐膛保溫材料, 具有密度小, 保溫性能好等特點; 

 采用抽真空結合保護氣氛, 既可以抽真空, 又可以通入不同的氣體; 

 最高溫度可達1550℃; 

 溫度梯度: 約5℃/cm; 

 溫度采用程序控制, 實現智能化. 

主要參數及性能

 電源: AC220V, 50/60Hz; 
 額定功率: 5kW; 
 爐膛尺寸: φ185mm×φ185mm; 
 加熱區尺寸: 150mm; 
 溫度范圍:100～1600℃, 精度: ±1℃, 升溫速率: 10℃/min; 
 報警保護: 上、下限, 正、負偏差, 斷偶等報警; 
 質量: 約50kg.  

出廠價:  

GT-ISSP-SHF

GT-ISSP-SHF-A

￥120960. 00元

￥146880. 00元

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〈16〉箱式爐 GT-1100X                                                                

出廠價:GT-1100X   ￥48380.00元

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〈17〉真空退火爐 GT-AF300                                                            

GT-AF300真空退火爐主要實現在高真空氣氛中對材料進行熱處理, 它是一種具有高精度、高穩定性、高可靠性、長時間連續工作的設備. 廣泛應用于各種材料、器件的熱處理. 

主要技術參數: 

 真空腔室: Ф350×H300mm不銹鋼雙層水冷, 頂開蓋; 

 爐膛尺寸: Ф100×H100mm; 

 等溫區尺寸: Ф100×H50mm; 

 加熱溫度: 室溫～800℃; 

 控溫方式: 采用精密人工智能溫度控制器, 0. 2級精度, 具有可編程模塊化輸出, 具有30段時間程序控制功能, 用戶可自行設定不同的程序進行控制;

 真空系統: 機械泵+擴散泵二級真空系統; 

 極限真空: 5×10-4Pa; 

 控制方式: 手動操作; 

 工藝方式: 可充入惰性氣體保護; 

 保護:設備具有斷水、過流、過壓等保護裝置及電氣聯鎖功能; 

 選購件: 冷卻循環水機, 真空氣體壓縮機等.

出廠價: GT-AF300  ￥180000. 00元

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〈18〉超聲霧化熱解噴涂設備  GT-US                                                    

    GT-US聲霧化熱解噴涂設備是一款薄膜沉積設備, 可用于制備單元氧化物、多元氧化物、I-VI、IIV-VI、III-VI、IV-VI、V-VI雙元硫族化合物、三元硫族化合物薄膜制備. 如ZnO、SnO2、MgO、NiO、Cr2O3、TiO2、CdS、CdTe、CdxZn1-xS、Cu2ZnSnS4等. 適合物理、材料、微電子類專業開展專業基礎實驗、專業實驗、開放實驗和學生畢業論文、科研工作. 

    GT-US聲霧化熱解噴涂設備由超聲霧化器、薄膜沉積室、管路組件、控制組件等部分構成. 采用不銹鋼制造, 薄膜樣品污染程度小. 

主要技術參數: 

 反應室: 

GT-US100: Ф100×H150mm; 雙層水冷不銹鋼腔體; 

GT-US200: Ф200×H300mm; 雙層水冷不銹鋼腔體; 

GT-US300: Ф300×H300mm; 雙層水冷不銹鋼腔體; 

 霧化室工作頻率: 

GT-US100: 1. 7MHz、功率: 200W; 數量: 1個; 

GT-US200: 1. 7MHz、2. 0MHz、2. 4MHz(可設), 功率: 300W; 數量: 1個; 

GT-US300: 1. 7MHz、2. 0MHz、2. 4MHz(可設), 功率: 300W; 數量: 2個; 

 襯底溫度: RT-800℃; 采用精密人工智能溫度控制器; 

 采用壓縮空氣、氮氣、氧氣、Ar氣載氣; 

 設備自帶循環水系統; 

出廠價:  

GT-US100

GT-US200

GT-US300

￥74880. 00元; 

￥108000. 00元; 

￥141120. 00元;

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〈19〉貴金屬濺射臺 GTPM-1                                                            

出場價:  GT-PM-1  ￥89600.00元

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〈20〉激光單晶定向儀 GT6510                                                          

出場價:  GT6510  ￥9800.00元;

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〈21〉電弧 磁控濺射箱式鍍膜機 GT-900DZX                                             

出場價:  GT-900DZX  ￥1468800.00元;

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〈22〉功能薄膜特性測試儀 GTFC-1                                                      

   GTFC-1功能薄膜特性測試儀由四探針測試儀和非晶硅薄膜電導率測量儀組成. 

   四探針測試儀由主機、測試架等部分組成, 測試結果由數字表頭直接顯示. 主機主要由高靈敏度直流數字電壓表和高穩定度恒流源組成. 測試探頭采用寶石導向軸套和高耐磨碳化鎢探針制成, 故定位準確、游移率小、壽命長. 

   非晶硅薄膜電導率測量儀由樣品室、溫控系統、真空系統、高阻測量系統等部分組成. 儀器具有測量精度高、靈敏度高、穩定性好、測量范圍寬、結構緊湊、使用方便等特點. 儀器適用于半導體材料廠、半導體器件廠、科研單位、高等院校對半導體材料的電阻性能的測試. 

主要技術參數

 測量范圍: 電阻率: 0. 001～200Ω. cm;  方塊電阻: 0. 01～2000Ω/□; 電導率: 0. 005～1000 s/cm; 電阻: 0. 001～200Ω. cm 

 可測晶片直徑: 200mm×200mm 

 探針間距: 1±0. 01mm; 針間絕緣電阻: ≥1000MΩ; 機械游移率: ≤0. 3%; 探針: 碳化鎢或高速鋼Ф0. 5mm 探針壓力: 5～16牛頓(總力) 

 恒流源: 電流量程分為0. 1、1、10、100(mA)四檔, 各檔電流連續可調. 誤差<±0. 5%

 數字電壓表量程: 0～199. 99mV; 分辨率: 10μV, 輸入阻抗>1000MΩ; 精度: ±0. 1%

 本底真空度: ≤10Pa; 氣壓可控范圍: 10～400Pa 

 襯底加熱溫度: 室溫～200℃

 指針式高阻計: 電阻測量范圍: 1×106～1×1017Ω, 精度: ±10%; 微電流測試: 1×10-5～1×10-14A; 精度: ±20% 

額定電壓: 10、100、250、500、1000V; 精度: ±5%

出廠價: GTFC-1  ￥59760. 00元;  指針式高阻計  ￥0. 00元

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〈23〉循環水冷卻機組 GTCW-1                                                         

出廠價: GTCW-1  ￥25344.00元

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〈24〉微波等離子體實驗裝置 GT2004                                                    

自然界中物質的形態除了固、液、氣三種形態之外, 還存在第四態, 即等離子體狀態. 等離子體的產生過程為: 固體物質在受熱的情況下熔化成液體, 液體進一步受熱后變成氣體, 氣體進一步受熱后, 中性的原子和分子電離成離子和電子, 形成等離子體.  由于等離子體中含有大量具有高能量的活性基團, 這使得等離子體能夠參與或發生許多不同的化學或物理反應.  
        GT2004微波等離子體實驗裝置由微波源、真空系統、供氣系統、冷卻水系統、微波傳輸及微波諧振腔組成; 由微波源產生的頻率為2. 45GHz的微波, 沿矩形波導管傳輸, 經過調整短路活塞, 最后在水冷諧振腔反應室內激勵氣體形成軸對稱的等離子體球.  

可開設的實驗

在基材(如硅片)上完成微波等離子體化學氣相沉積法制備各種功能薄膜材料(如BN薄膜、金剛石薄膜、氮化碳薄膜等)、微波等離子體刻蝕加工實驗、材料表面改性、微波等離子體清洗材料表面、微波等離子體化學合成等實驗; 適合大學物理、材料、化學等領域的學生實驗及教師科學研究.  培養學生掌握等離子體技術的應用.   

主要特點

 無內部電極, 可避免放電污染, 運行氣壓范圍寬, 能量轉換效率高, 可產生大范圍的高密度等離子體.  
 設有垂直交叉的兩個方向的透明觀察窗, 可直觀觀察等離子體的放電特性.  
 微波等離子體刻蝕精度達到亞微米級.  制備各種功能薄膜材料的速率較快.  

主要參數及性能

 微波源: 功率0～800W連續可調輸出; 

 真空系統: 采用旋片真空泵, 單相220V交流電源, 極限真空6×10-1帕, 抽速2升/秒; 真空計采用數顯壓阻式真空計和熱偶真空計聯合作用, 用于測量本底真空和工作時的工作氣壓.  真空密封采用金屬和橡膠密封; 真空調節采用隔膜閥粗調和微調閥精細調節, 調節快速方便、穩定性好. 

 供氣系統: 有兩路獨立供氣氣路, 通過轉子流量計控制流量.  

 自帶冷卻水循環系統形成冷卻水.  制冷系統可保證冷卻水溫度在30度以下, 無水源要求. 

 微波傳輸及微波諧振腔: 配有環行器、水負載和三螺釘阻抗調配器, 可保證微波源的安全工作; 配有微波反射測量系統, 保證等離子體最大限度地吸收微波能.  反應室工作壓強: 幾帕～十千帕; 反應室極限壓強: 6×10-1帕; 真空反應室石英管腔體尺寸: Φ50mm; 基片溫度范圍: 200～1000℃; 電磁波功率: 0～800W; 接地線＜3Ω.  

出廠價: GT2004   ￥139800. 00元  需另配光學顯微鏡、超聲波清洗機、氣源.  隨機配備基材、金剛石微粉

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〈25〉 微波射流等離子體實驗儀 GTAP                                                    

微波源產生2.45GHz的電磁波, 沿矩形波導管傳輸, 在諧振腔內特別設計的微波天線及其噴嘴正上方的波導開孔處擊穿氣體放電, 產生常壓微波等離子體射流(Microware Plasma Jet, MPJ).  裝置適合大學物理、材料、化學等領域的學生實驗, 培養學生掌握等離子體物理及其技術的應用, 或作為科學研究之用.  

實驗項目

1、MPJ分解處理各種廢氣, 如SO2、NOx、有機硅、甲醛、含苯環的烴類; 

2、MPJ制備納米材料, 如納米管、ZnO、Al等; 

3、MPJ材料表面清洗及改性、MPJ材料加工等實驗; 

4、MPJ光譜分析(需配備光譜儀).  

主要性能

 在常溫常壓下和開放的空氣中自激發放電產生等離子體, 不需要真空系統, 對放電氣體的種類沒有限制 ;

 MPJ激發放電從噴嘴的尖端處開始, 且與噴嘴無直接接觸, 使噴嘴的溫度相對較低, 從而噴嘴腐蝕的問題可以忽略不計; 

 不存在電極, 可以處理金屬和非金屬等任意的材料, 不受被處理材料是否導電的限制, 同時避免傳統等離子體射流的電極放熱和蒸發

腐蝕污染的問題; 

 獨特的放電結構設計, 使能量集中在放電等離子體中, 噴嘴及諧振反應腔不需要專門冷卻; 

 由1KW微波源、環形器、水負載、三螺釘阻抗調配器、諧振反應腔、微波反射測量系統等組成; 等離子體射流中心溫度最高可達數

千度. 本裝置需另配粒度分析儀、氣源等. 隨機配備與具體實驗相關的其他材料. 

出廠價  

GTAP-1

GTAP-2

￥131040. 00元   需另配粒度分析儀、氣源等

￥146800. 00 元  需另配光譜儀、顯微硬度測量儀、氣源等

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〈26〉磁鏡場ECR微波等離子體裝置                                                     

出廠價  GTEP-1  ￥698760.00元

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〈27〉電暈等離子體實驗裝置 GTCP-1                                                    

出廠價  GTCP-1  ￥62340.00元

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〈28〉光等離子體實驗裝置 GT2005  GT2006                                             

   GT2005  GT2006光等離子體實驗裝置包括可拆卸的氣體放電管、測量系統、真空系統、進氣系統和水冷系統等部分組成. 工作氣體、工作氣壓、電極距離等參數均可靈活地加以單獨或組合調控, 從而利用該裝置可以系統了解等離子體的激發原理, 研究工作氣壓、氣體種類等因素對等離子體的影響, 不僅可以開設多個驗證性實驗, 而且可以開設研究性和綜合性實驗, 以提高學生獨立分析問題的能力. 

可開設的實驗

1、湯森第一電離系數a及比值a/p的測定; 

2、直流低氣壓放電現象觀察及伏安曲線的測量; 

3、氣體擊穿電壓的測定及帕邢定律驗證實驗; 

4、等離子體電子溫度和濃度的測量等實驗. 

主要技術參數

 GT2005: 放電管內徑: Ф45mm, 長度: 200mm, 電極距離: 30～180mm可調; 

GT2006: 放電管內徑: Ф45mm, 長度: 300mm, 電極距離: 30～280mm 可調; 

 作氣壓: 10Pa～200Pa可調; 

 作電壓: DC 0V～1500V可調; 

 電電流: 10-6A～0. 5A 可測; 

 H2006增加磁場線圈、可調磁控恒流源(0～3A)

可拆卸的氣體放電管, 電極距離可調

出廠價:

GT2005

GT2006

￥73440. 00元

￥100224. 00元

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〈29〉等離子體診斷實驗儀 GTPD-1                                                     

GTPD-1等離子體診斷實驗儀與直流輝光等離子體實驗裝置相比, 實驗儀側重于進行等離子體的診斷實驗, 如等離子體電子溫度和濃度的測量等實驗.  

主要特點

 放電管內徑: φ25mm; 放電管長度: 300mm; 
 電極距離: 30～290mm可調; 
 工作氣壓: 10Pa～300Pa可調; 
 工作電壓: 0V～1500V連續可調; 
 放電電流: 10-6A～0. 5A可測; 
 放電極板可更換.  

出廠價  GTPD-1  ￥65664. 00元

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〈30〉直流濺射等離子實驗儀  GTPS                                                     

 GTPS直流濺射等離子實驗儀包括可拆卸的濺射腔體、濺射靶臺、真空抽氣系統、測量系統、進氣系統等部分組成. 

GTPS直流濺射等離子實驗儀采用同軸二極濺射結構, 在真空室內以沉積材料為陰極, 加工樣品為陽極, 工作期間兩極間加直流電壓引起放電, 放電氣體中的離子被加速轟擊靶面, 濺射粒子沉積在基片表面成膜. 

可開設的實驗

1、光學薄膜材料的制備及其光學特性的測量; 

2、金屬薄膜的制備實驗; 

3、理解直流濺射原理, 掌握直流濺射薄膜材料的工藝方法. 

主要技術特點

 濺射靶臺和濺射靶距離可調節, 研究在不同距離時對薄膜濺射的影響; 

 濺射基片可進行加熱, 加熱溫度可控, 研究基片溫度對薄膜濺射的影響; 

 濺射氣壓、濺射氣源流量可調節, 研究不同氣壓、氣源流量對薄膜濺射的影響; 

 反應腔體采用石英玻璃管, 可直觀地觀察到濺射現象; 

 工作氣體可調節更換, 并可多路氣體混合工作. 

 主要技術參數

 濺射腔體外形尺寸: GTPS-1: Ф140mm×150mm; 

GTPS-2: Ф100mm×130mm; 

 濺射靶臺: GTPS-1: Ф70×20mm; 

GTPS-2: Ф40, 可同時放6個樣品; 

 GTPS-1: 基片加熱溫度可控范圍: 室溫～80℃; 

 濺射氣壓可調范圍: 10～200 Pa; 

 濺射電壓: 0～1500V連續可調, 濺射電流: 0～200mA可調; 

 氣源流量可控范圍: 6～60ml/min; 25～250 ml/min; 

 供電電源: AC 220V, 50 Hz. 

原子力顯微鏡(AFM)測量

描電子顯微鏡(SEM)測量

出廠價:

GTPS-1

GTPS-2 

￥81792. 00元;

￥63072. 00元

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〈31〉電感耦合射頻等離子體實驗儀 GTRP-1                                             

GTRP-1電感耦合射頻等離子體實驗儀將射頻源產生的頻率為13. 560MHz的射頻功率電磁波, 加至反應容器外面的電感線圈, 用電感耦合方式耦合到工作氣體中, 使其放電產生等離子體.  這種方式具有放電效率高、無電極放電污染的特點, 并可以獲得純凈的等離子體.  裝置適合大學物理、材料、化學等領域的學生實驗, 培養學生掌握等離子體物理及其技術的應用, 或作為科學研究之用.  

實驗項目

 等離子體消毒滅菌實驗, 如大腸桿菌(8099)、金黃色葡萄球菌(ATCC6538) 

 等離子體材料表面改性實驗, 如紙張親水性、紙張接觸角 

 等離子體材料表面清洗實驗

 等離子體聚合實驗

主要性能

 反應室工作壓強: 5～1000Pa; 反應室石英管腔體尺寸: Φ80mm×180mm ;

 由500W射頻源、放電腔體、氣源調節系統、真空系統等組成, 射頻頻率: 13. 560MHz; 

 設有透明觀察窗, 可直觀觀察等離子體的放電現象及特性 ;

 真空系統:采用旋片真空泵, 單相220V交流電源, 極限真空6×10-1帕, 抽速4升/秒; 

 供氣系統: 有兩路獨立供氣氣路, 通過轉子流量計控制流量; 

 可以處理金屬和非金屬等任意的材料, 不受被處理材料是否導電的限制, 同時避免電極大量放熱和蒸發腐蝕污染的問題. 

出廠價  GTRP-1  ￥138240. 00元  含機械泵、轉子流量計、電阻真空計、射頻電源等

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〈32〉電容耦合射頻等離子體實驗裝置                                                    

出廠價  GTRC-1  ￥129980.00元

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〈33〉微波光學實驗儀 GTMS-1                                                         

GTMS-1微波光學實驗儀采用類似光學分光計的設計思想, 成套儀器由三厘米微波信號源、固態微波振蕩器、衰減器、隔離器、發射喇叭、接收喇叭、檢波器、檢波信號數顯器、可旋轉載物平臺和支架, 以及其他實驗用附件(發射板、分束板、單縫、雙縫、晶體模型等)等組成. 

實驗項目

1、了解與學習微波產生的原理以及傳播和接收等基本特性; 
2、進行微波干涉、衍射、偏振等實驗; 
3、微波的邁克耳遜干涉實驗; 
4、觀測模擬晶體的微波布拉格衍射現象.  

主要特點

 固態微波振蕩器與衰減器、隔離器、發射喇叭一體化設計, 微波功率適當, 可衰減范圍寬, 對人體無害; 

 液晶數顯檢波裝置, 靈敏度高, 讀數方便, 與微波接收喇叭、檢波器一體化, 結構緊湊、性能穩定; 

 測量結果的對稱性好, 無明顯的固定角度偏差; 

 提供多種附件和實驗方案選擇, 可以進行綜合性、設計性和研究性實驗. 

主要參數

 微波頻率: 9. 4GHz波段, 帶寬: 約200MHz; 
 微波功率: 約20mW, 衰減幅度: 0～30dB; 
 三位半液晶數顯檢波儀, 測量角度偏差≤3°; 
 消耗功率: 滿負荷時不大于25W; 

 連續工作時間: 大于6h; 
 電源電壓: 220V, 50Hz; 
 儀器重量: 約20kg. 

微波的布拉格衍射

出廠價 GTMS-1  ￥23328. 00元

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〈34〉微波光學實驗儀GTMS-1A                                                        

GTMS-1A微波光學實驗儀采用類似光學分光計的設計思想. 成套儀器由三厘米微波信號源、固態微波振蕩器、衰減器、隔離器、發射喇叭、接收喇叭、檢波器、檢波信號數顯器、可旋轉載物平臺和支架, 以及其它附件(反射板、分束板、單縫、雙縫、晶體模型、電磁波極化天線、柵網組件等)組成. 

可開設的實驗

1、了解與學習微波產生的基本原理以及傳播和接收等基本特性; 

2、進行微波干涉、衍射、偏振等實驗; 

3、微波的邁克耳遜干涉實驗; 

4、觀測模擬晶體的微波布拉格衍射現象; 

5、圓極化波反射和折射特性的實驗; 

6、線極化、圓極化或橢圓極化的產生和檢測實驗; 

主要技術參數

 微波頻率: 9. 4GHz波段, 帶寬: 約200MHz; 

 微波功率: 約20mW, 衰減幅度: 0～30dB; 

 電磁波極化天線和柵網組件工作頻率范圍: 8600～9600MHz; 

 三位半液晶數顯檢波儀, 測量角度偏差≤3º; 

 消耗功率: 滿負荷時不大于25W;  

 連續工作時間: 大于6h;  

 電源電壓: ～220V, 50Hz; 

主要技術特點

 該產品包含GTMS-1所有的技術特點; 

 增加電磁波極化天線和柵網組件, 可以深入研究電磁波的極化現象實驗; 

 可以升級為微機型, 在電腦上自動完成單縫衍射、雙縫干涉、布拉格衍射等實驗, 并繪制曲線和保存實驗數據. 

出廠價: GTMS-1A   ￥28512. 00元   數據采集器另配   ￥4200. 00元

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〈35〉全息照相實驗儀 GT6516                                                          

   GT6516實驗儀由輕便防震平臺、光學元件、激光器、激光功率計、電子快門、輕便實驗暗箱、洗片暗箱、重現裝置等組成. 用He-Ne激光作為光源, 保證了物光和參考光之間的良好的相干性. 

可開設的實驗

1、了解全息照相的基本原理; 學習全息照相的實驗技術, 熟悉實驗的組件和光路的調整; 

2、拍攝透射式激光重現全息圖, 并再現物像; 

3、拍攝反射式白光重現全息圖, 并再現物像; 

4、了解和使用顯影、定影、沖洗等有關攝影技術. 

主要技術特點

 采用輕便式設計, 移動方便; 取消了傳統的大型暗實驗室, 沒有暗室也可以進行實驗; 

 采用多級防震設計, 取消了傳統的實驗防震平臺; 

 將光路和拍攝系統與外部空間隔離, 從而減小了空氣和震動的影響, 實驗時可以不受講話和人員走動的影響; 

 綜合以上的設計, 可以在一個實驗室中開設多組實驗, 方便教學, 并大大節約了實驗場地; 

 既可拍攝激光重現全息圖,又可拍攝白光重現全息圖,性價比高; 

 實驗儀成套配備齊全, 耗材、附件長期供應, 無須擔心因買不到耗材、附件而影響實驗開設.

主要技術參數

 激光功率計: 含功率計探頭和數顯功率計, 測量范圍2mW, 20mW, 3位半數顯;  

 曝光定時器: 分辨率0. 1s, 量程1～999. 9s; 

 大功率氦氖激光器: 管長320mm, 功率＞3.5mW, 波長632. 8nm; 

 光學元件: 高反射鏡, 半反射鏡, 小擴束鏡, 大擴束鏡等; 

 耗材: Ag干板, RSP干板, 定影粉, 顯影粉, 異丙醇等; 

 外形尺寸: 防震平臺、輕便實驗暗箱600×420×355mm; 洗片暗箱450×350×220mm.

出廠價: GT6516  ￥20448. 00元

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〈36〉光電傳感器實驗儀 GT-CGOP1                                                     

GT-CGOP1光電傳感器實驗儀由實驗暗箱、九孔板插件、實驗元件、電源、數字萬用表等組成, 用于研究內光電效應類光敏傳感器的基本特性和基本原理. 

實驗內容

 1、了解光敏二極管的基本特性, 測量伏安特性和光照特性曲線
 2、了解光二極管的基本特性, 測量伏安特性和光照特性曲線
 3、了解硅光電池的基本特性, 測量伏安特性和光照特性曲線
 4、了解光敏三極管的基本特性, 測量伏安特性和光照特性曲線
 5、了解光纖傳感器基本特性和光纖通訊基本原理

主要特點

 既可以在自然條件下進行實驗, 也可以在暗光的條件下做實驗; 

 以九孔板插件為平臺, 配以插件式實驗元件和傳感元件,

實驗方法簡單、可操作性強,提高學生的實際動手能力; 

 可自行設計、擴展做其它傳感器實驗或其它設計性實驗 ;

 符合中學生物理競賽實驗的要求.

主要參數

 含光敏電阻、光電二極管、光電三極管光電開關、硅光電池、

光纖等傳感器; 
 光源電壓的調節范圍在0～12V, 最大輸出電流1A; 

 傳感器工作電壓±2V±12V六檔可選, 步進值為±2V; 
 光源和傳感器之間的距離調節范圍為: 5～230mm ;

 含4位半數字萬用表

出廠價: GTCGOP1  ￥7776. 00元  含專用電源、4位半數字萬用表等  

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